WWW.LIB.KNIGI-X.RU
БЕСПЛАТНАЯ  ИНТЕРНЕТ  БИБЛИОТЕКА - Электронные матриалы
 

«ГЛАВА 6 ПЕРСПЕКТИВЫ ПРИМЕНЕНИЯ ФОСФИДОВ, АРСЕНИДОВ ЦИНКА И КАДМИЯ В ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКЕ В главе рассмотрены возможности использования фосфидов, арсенидов кадмия и цинка в электронной технике. ...»

ГЛАВА 6

ПЕРСПЕКТИВЫ ПРИМЕНЕНИЯ ФОСФИДОВ, АРСЕНИДОВ

ЦИНКА И КАДМИЯ В ЭЛЕКТРОННОЙ ТЕХНИКЕ

В главе рассмотрены возможности использования фосфидов, арсенидов

кадмия и цинка в электронной технике. На основе этих материалов созданы

следующие устройства: датчики температуры, датчики Холла, датчики уровня

жидкости, магнитодатчики, фоторезисторы, удлинители и стабилизаторы

лазерного излучения, светофильтры и иммерсионные линзы ближнего ИКдиапазона спектра, поляризационные призмы, дефлекторы лазерного излучения, термоуправляемые линии задержки, полупроводниковые переключатели и приемники тепловых потоков, а также источники легирования акцепторными примесями полупроводников группы АIIIBV и прекурсоры халькопиритов АIIBIVCV2. При написании данной главы основное внимание было уделено устройствам на основе тех соединений из фосфидов, арсенидов кадмия и цинка, для которых наиболее отработаны методики получения крупных и структурно совершенных монокристаллов [1, 2, 3, 4].

6.1 Устройства на основе монокристаллов дифосфидов цинка и кадмия В таблицах 1.9 и 2.6 приведены наиболее важные для практики свойства монокристаллов ZnP2 и CdP2.

Датчик температуры. Оптически нелинейные свойства монокристаллов CdP2 и ZnP2 стали основой их использования в качестве материалов для различных измерительных приборов. Из монокристаллов CdP2 авторы [5] предложили изготовить датчик температуры.

Работа датчика основана на свойстве CdP2 изменять оптическую активность с изменением температуры, при этом зависимость вращательной способности плоскости поляризации от температуры остается линейной. Принцип работы устройства заключается в том, что при прохождении плоскополяризованного света через термочувствительный элемент CdP2, расположенный в зоне измерения температуры, плоскость поляризации поворачивается на угол относительно первоначального азимута: ·t ·l, где – удельная оптическая активность вещества при 0 С; l – толщина пластинки термочувствительного элемента; – температурный коэффициент оптической активности; t – температура в С. Блок-схема датчика температуры приведена на рисунке 6.1.

Рисунок 6.1 – Блок-схема устройства для измерения температуры: 1 – источник плоскополяризованного света (лазер), 2 – термочувствительный элемент, представляющий собой кристаллическую пластинку, вырезанную перпендикулярно оптической оси с, 3 – анализатор, 4 –фотоприемник Угол поворота плоскости поляризации измеряется фотоэлектрическим блоком, проградуированным по температуре.

Величина в дифосфиде кадмия составляет 5.74 град·см-1·К-1 для света с = 612 нм в температурном интервале 300-500 К. Аналогичный датчик можно создать и на основе ZnP2. Для ZnP2 величина составляет 2.3 град·см-1·К-1 для света с длиной волны 600 нм в температурном интервале 300-700 К. Предложенные датчики могут быть использованы в различных областях медицины для измерения температуры при наличии электромагнитных НЧ-, ВЧ-, СВЧ-полей, с целью контроля температуры живых тканей при лечении СВЧ-прогревом, когда затруднено или нежелательно наличие электрических проводов, в частности при облучении раковых опухолей живых тканей. Чувствительность таких датчиков, благодаря применению кристаллов CdP2 и ZnP2 с большим термическим коэффициентом удельной оптической активности, составляет 1·10-4.

Дефлектор лазерных лучей с термически индуцированным градиентом показателя преломления. Дифосфид кадмия – двулучепреломляющий, гиротропный кристалл с достаточно низкой теплопроводностью 10 Вт/(м·К). Указанные свойства CdP2 использованы при создании дефлекторов лазерных лучей с термически индуцированным градиентом показателя преломления. Преимущество такого дефлектора лазерных лучей в том, что его можно применять как в видимой, так и ближней инфракрасной областях спектра [6, 7].

Фоторезистор. Дифосфиды кадмия и цинка при одновременном легировании взаимно компенсирующими примесями (серой и азотом) получают в виде высокоомного широкозонного полупроводника, что необходимо для изготовления фоторезисторов. Созданные на базе CdP2 и ZnP2(т) фоторезисторы обладают малой постоянной времени релаксации и пригодны для регистрации импульсных потоков излучения длительностью 1·10 -9 с и интенсивностью 1021–1026 квант/(см2·с), что существенно упрощает системы регистрации амплитуды и временной формы импульсов излучения твердотельных лазеров, работающих в режиме модуляции добротности или в режиме с управляемой длительностью световых импульсов. К достоинствам фоторезисторов на основе CdP2 и ZnP2(т) относятся их малая инерционность при комнатной температуре и возможность проведения измерений в проходящем свете, а также сравнительно малые размеры [6, 8]. При изготовлении фоторезисторов омические контакты к дифосфидам кадмия и цинка наносились в атмосфере водорода припоями индия и индия с цинком, соответственно.

Испытания фоторезисторов производились с помощью рубинового с h = 1.78 эВ и неодимового с h = 1.17 эВ лазеров, генерирующих в режиме модулированной добротности импульсы излучения временной гауссовой формы длительностью 20 нс и мощностью 15 МВт/см2. Интенсивность светового потока, падающего на светочувствительный элемент, изменялась от 1021 до 2·1026 квант/(см2·с) с помощью фокусирующей линзы и набора калиброванных нейтрально серых фильтров. Предельные значения интенсивностей определялись чувствительностью схемы и порогом разрушения кристаллов. Основные параметры светочувствительных элементов фоторезисторов приведены в таблице 6.1.

Таблица 6.1 Технические характеристики фоторезисторов не менее 109 Темновое сопротивление, Ом не более 10-9 Постоянная времени, с Рабочая температура, К 300 Рабочее напряжение, В 2 Размер фотоприемной площадки, мм2 2-8 Максимальная интенсивность светового потока, 5·1025 определяемая порогом оптического разрушения, квант/(см2·с)

–  –  –

Использование дифосфидов цинка и кадмия увеличивает длительность моноимпульсов в 10 раз (таблица 6.2).

Резонатор. В [12] сделаны оценки параметров резонатора из дифосфида кадмия, благоприятных для осуществления устройства конфиденциальной связи оптического диапазона, основываясь на явлении термозависимости оптической активности кристалла. При этом удалось решить следующие задачи: дать оптико-физическое описание динамики оптического поля в нелинейном кольцевом интерферометре (НКИ), построить соответствующую математическую модель оптически активной среды и провести моделирование.

Сравнение дифосфидов цинка и кадмия показало, что предпочтительнее в НКИ применять дифосфид кадмия, т.к. для него температурная зависимость вращательной способности выше, чем у ZnP2(т).

Полупроводниковые переключатели. Авторы [13] предложили в качестве активного элемента в полупроводниковом переключающем приборе с широким диапазоном пороговых напряжений использовать тетрагональный дифосфид цинка. Работа прибора основана на свойстве указанного полупроводника изменять свою электропроводность на несколько порядков при приложении к нему напряжения выше порогового. Показано, что при превышении напряжения выше порогового, сопротивление прибора, на основе тетрагонального дифосфида цинка, уменьшалось за время 10-6 с от 107-108 Ом до R 102-103 Ом. Напряжение при переключении уменьшалось в 5-7 раз, ток увеличивался в 104-105 раз и на вольтамперной характеристике появлялась область отрицательного сопротивления. При уменьшении напряжения и тока, ниже поддерживающих, активный элемент вновь переходит в состояние высокого сопротивления. Было установлено, что напряжение переключения в дифосфиде цинка прямо пропорционально толщине активной области и составляет 12 6 В на 1 мкм толщины активного элемента, что позволяет изготовить полупроводниковый переключающий прибор с широким диапазоном пороговых напряжений за счет изменения толщины активного слоя. Прибор изготавливали в виде сэндвич структуры, состоящей из ZnP2(т)металл. В качестве металлических электродов использовались медь, серебро, молибден.

Материал для солнечных элементов. Из исследований [14, 15] конденсаторной фотоэдс в кристаллах моноклинного ( -ZnP2), тетрагонального ( -ZnP2) и пленок аморфной ( -ZnP2) модификаций следует, что вышеперечисленные кристаллы удовлетворяют требованиям, предъявляемых к материалам для солнечных элементов. Для соединений характерны умеренные рекомбинационные потери и удовлетворительная форма спектрального распределения фотоэдс в видимой области спектра. На рисунке 6.2 изображены, измеренные при 300 K спектральные зависимости конденсаторной фотоэдс, приведенные к постоянному числу падающих квантов. Знак и величина конденсаторной фотоэдс зависели от модификации образцов.

Положительный знак конденсаторной фотоэдс фиксировался на кристаллах ZnP2, а отрицательный – на кристаллах -ZnP2. На образцах с естественной поверхностью роста величина конденсаторной фотоэдс в -ZnP2 на порядок превышала величину конденсаторной фотоэдс в -ZnP2. При интенсивности света 1013 квант/(см2·с) в первом случае конденсаторная фотоэдс была равна 2·103 мкВ, а во втором – 1.5·102 мкВ.

Рисунок 6.2 – Спектральная зависимость конденсаторной фотоэдс: 1 – -ZnP2 с естественной поверхностью скола, 2 – -ZnP2 с травленой поверхностью, 3 – -ZnP2 со шлифованной поверхностью, 4 – -ZnP2 с естественной поверхностью скола, 5 – -ZnP2 после анодного окисления В работе [16] изготовлены солнечные элементы на основе гетероструктур кремний – дифосфид кадмия – сульфид кадмия.

КПД такого устройства составлял 9% и 12% для термически осажденных и эпитаксиальных структур, соответственно. Область спектральной чувствительности охватывала диапазон 0.46-1.1 мкм. Эффективность фотопреобразователей зависела от толщины слоев и была оптимальной при толщине пленок дифосфида кадмия 16-18 мкм и пленок сульфида кадмия 10-12 мкм.

–  –  –

Электрические характеристики гетеропереходов -ZnP2 – -ZnP2, полученных из газовой фазы наращиванием -фазы на -фазу в интервале температур 77-550 К сохраняются со временем после многих температурных циклов. Характер поведения их вольтамперных характеристик и других физических параметров подобен гетеропереходам Ge-GaAs, CdS-CdTe.

На основе гетеропереходов -ZnP2 – -ZnP2 и соединений ZnP2, CdP2 были созданы стабилизаторы, представляющие собой выпрямляющие диоды, у которых ток на обратной ветви при напряжении пробоя меняется в широких пределах. Такие стабилизаторы, представляющие собой контакт n-n типа ZnP2 ( )–ZnP2 ( ) обладают большей прозрачностью для туннелирования, чем p-n (или n-p) переходы при равных концентрациях носителей в кристалле.

Использование ZnP2 как основы для n-n типа гетероперехода позволяет получать большие плотности туннельного тока. Напряжение стабилизации Uстаб. = 30-50 В.

При конструкции барьеров Шоттки из легированных ртутью и серой кристаллов CdP2 было обнаружено, что диффузия серы в CdP2 приводит к увеличению концентрации электронов в образцах (сера – примесь донорного типа). Диодные структуры, разработанные на базе легированных серой кристаллов, обладают увеличенной спектральной шириной фотоэдс. Диапазон их спектральной чувствительности составлял 1-2.3 эВ.

Дискретный измеритель уровня жидкости. Рассмотрим ряд приборных реализаций, в которых использован метод соединения датчиков температуры, изготовленных из CdP2 или ZnP2, с нагревателем постоянной мощности. Задача последнего – создать перегрев элемента из дифосфида кадмия или цинка относительно окружающей среды. Реальная температура датчика, а значит и сигнал, зависит от соотношения выделяемой мощности и теплоотвода во внешнюю среду. Устройства подобного типа можно использовать в качестве термоанемометров, измерителей состава окружающей среды, датчиков уровня жидкости, индикатора контроля сплошности среды. В качестве примера рассмотрим многоточечный измеритель уровня жидкости (рисунок 6.4). Набор эквидистантно расположенных пластин из дифосфида кадмия или цинка, вырезанных перпендикулярно главной оптической оси, просвечивается лазерным лучом. На боковые поверхности датчиков нанесены токопроводящие дорожки, соединенные в цепь подогрева системы постоянной мощности. В отсутствии жидкости плоскость прошедшего лазерного луча оказывается повернутой на угол 0. При соприкосновении с жидкостью каждый датчик, d охлаждаясь, уменьшает суммарный угол поворота на величину: T, l dT где Т – разность температур датчика, погруженного в жидкость и находящегося в воздухе. Суммарный угол поворота плоскости поляризации, d даваемый системой относительно начального угла 0 будет T, где K l dT К – число датчиков, погруженных в жидкость. Регистрирующая система может измерять либо интенсивность прошедшего через неподвижный анализатор света, либо непосредственно угол поворота поляризации с помощью следящего устройства, которое устанавливает анализатор в положении максимального (минимального) пропускания.

Рисунок 6.4 – Дискретный измеритель уровня жидкости: 1 – He-Ne лазер, 2 – зеркало, 3

– бак с жидкостью, 4 – пластинки CdP2 или ZnP2, 5 – источник тока подогрева, 6 – анализатор поляризации, 7 – фотоприемник, 8 – мотор, вращающий анализатор Таким образом, измеряя угол поворота анализатора, мы будем контролировать положение уровня жидкости. Преимущество последней измерительной системы в том, что она не связана с изменением абсолютного значения интенсивности проходящего света, которая может изменяться из-за рассеяния и отражения света в жидкости.

Если принять толщину одного датчика из CdP2 l = 1 мм, Т = 5 К, то при прохождении поверхности жидкости через датчик плоскость поляризации повернется на величину порядка двух градусов. Аналогичное устройство, но с одним датчиком, можно использовать в качестве индикатора сплошности среды или датчика состава среды, если известна зависимость теплоотвода от ее состава. Поместив датчик в поток жидкости, получим измеритель скорости потока, в котором скорость пропорциональна углу поворота плоскости поляризации.

Устройство для визуализации распределения энергии в сечении пучка инфракрасного лазера. Зависимость естественной оптической активности (ЕОА) кристаллов CdP2 и ZnP2 от температуры может быть использована для визуализации распределения энергии в поперечном сечении пучка мощного инфракрасного лазера (например, СО2 – лазера с длиной волны = 10 мкм).

Рисунок 6.5 – Устройство для визуализации распределения энергии в сечении пучка инфракрасного лазера: 1 – кристалл CdP2 или ZnP2, 2, 3 –линейные поляризаторы, 4 – источник видимого света, 5 – стеклянная пластинка для поглощения лазерного излучения, 6–пучок инфракрасного лазера Схема такого устройства представлена на рисунке 6.

5 и состоит из термооптического кристалла 1, установленного между двумя линейными поляризаторами 2 и 3 и источника видимого света 4 (например, красный светодиод). Поляризатор 2 устанавливают в положение, соответствующее полному гашению выходящего из ячейки видимого света и лазерное излучение поглощается полностью или частично (в зависимости от длины волны) термооптической пластиной, что приводит к ее локальному разогреву. ЕОА в нагретой точке меняется, и видимый свет проходит через поляризатор 2, визуализируя тем самым нагретую лазерным пучком область.

Интерферометр для визуализации теплового поля на поверхности неоднородно нагретых объектов. Зависимость показателя преломления дифосфида кадмия и цинка от температуры можно использовать для визуализации температурного поля неравномерно нагреваемых объектов. На рисунке 6.6 изображен интерферометр, позволяющий по искривлению интерференционных полос судить о распределении температуры на поверхности неравномерно нагретой плоскости 1 (например, кристалла микросхемы).

Рисунок 6.6 – Схема интерферометра для визуализации теплового поля на поверхности неоднородно нагретых объектов: 1–исследуемый объект, 2–кристалл CdP2 или ZnP2, 3– источник света, 4–коллиматорная линза, 5–полупрозрачное зеркало, 6–зеркало, 7– собирающая линза, 8–распределение световой энергии в фокальной плоскости линзы 7 от линейного источника тепла К исследуемой поверхности прижата плоскопараллельная пластина из CdP2 так, что между ними осуществляется хороший тепловой контакт.

Нижняя поверхность кристалла дифосфида кадмия покрыта отражающим слоем, а верхняя – просветленна. Световые лучи от источника 3 разделяются на два пучка полупрозрачным зеркалом 5. Один из пучков отражается зеркалом 5, другой – нижней поверхностью термооптического элемента. Затем лучи собираются линзой 7, в фокальной области которой наблюдается интерференционная картина 8. В областях локального разогрева термооптического кристалла происходит изменение его показателя преломления, приводящее к изменению оптической разности хода интерферирующих лучей и деформаций интерференционной картины. На вставке рисунка 6.6 изображена ожидаемая картина от линейного источника тепла.

Термоуправляемые оптические линии задержки. Зависимость показателя преломления дифосфида кадмия и цинка от температуры можно использовать для управления скоростью распространения света в кристалле и создавать термоуправляемые оптические линии задержки.

Можно оценить изменение времени прохождения света через образец при нагреве его на Т:

l dn T, где с – скорость света в вакууме, l – толщина кристалла.

t c dT Из формулы следует, что нагрев образца толщиной 1 см на 100 К обеспечит задержку сигнала на величину порядка 3·10-12 с, т.е. время, характерное для работы оптических устройств пикосекундного диапазона.

Используя многократное отражение светового луча от внутренних поверхностей кристаллической пластинки можно существенно увеличить это время, а температурой осуществлять его плавную регулировку.

6.2 Устройства на основе монокристаллов диарсенидов цинка и кадмия

–  –  –

Изучая особенности поглощения света в моноклинных дифосфиде и диарсениде цинка [23], наблюдали значительное различие в спектрах оптического пропуская в зависимости от поляризации света. При толщине образцов диарсенида цинка 2.1 мм величина пропускания света с поляризацией E c была в 2 раза больше, чем Е||с в диапазоне длин волн h от 0.5 до 1.3 эВ.

Для монокристаллов ZnAs2 при толщине образцов 3 мм, величина пропускания света с поляризацией E c при h = 0.8 эВ была в 10 раз выше, чем Е||с. Такая особенность пропускания света в монокристаллах моноклинных диарсенидов цинка и кадмия открывает перспективы для создания поляризационных устройств ближнего ИК диапазона.

Датчики Холла на основе тонких пленок Cd3As2 и твердых растворов (Zn1-xCdx)3(P1-yAsy)2. На арсениде кадмия (Cd3As2) в виде тонких пленок можно создать датчики Холла [24], используя независимость коэффициента Холла от температуры в широком интервале, сравнительную простоту технологии и высокую воспроизводимость свойств. Сделаны оценки применения тонких пленок Cd3As2 в качестве датчиков магнетосопротивления. Показано, что чувствительность датчика магнетосопротивления сильно зависит от геометрии образца. Максимальная чувствительность в слабых полях S= /B2 достигает 0.7 м4·Ом/Вб2 для пленок длиной 10-15 мм и шириной 5 мм.

Пленки, напыленные на подложки из слюды или стекла, устойчивы к отслаиванию в широком температурном интервале, так как коэффициенты термического расширения Cd3As2, слюды и стекла сравнимы. Для получения больших холловских напряжений используются ячейки из четырех и восьми элементов. Чувствительность датчиков из Cd3As2 выше, чем у датчиков, изготовленных из InAs, InSb и превосходят по воспроизводимости и простоте технологии. Тонкие пленки Cd3As2 можно использовать и для создания приемников измерения тепловых потоков, на основе эффекта НернстаЭттингсгаузена. Обнаружительная способность приемника D 106 см·Гц1/2/Вт на частоте 106 Гц. Возможность применения тонких пленок твердых растворов (Zn1-xCdx)3(P1-yAsy)2 в качестве датчиков Холла показана в [25], в которой установлено, что пленки обладают n-типом проводимости и подвижность электронов в них близка к монокристаллическим образцам (800см2·В-1·с-1).

Материалы для приемников тепловых потоков. Из исследований анизотропии электрических и термоэлектрических свойств ZnAs2 и CdAs2 установлено, что монокристаллы этих соединений по сравнению с другими полупроводниками обладают рекордными значениями анизотропии термоэдс.

Следовательно, монокристаллы этих полупроводников можно рекомендовать в качестве материалов датчиков приемников тепловых потоков различного назначения на основе эффекта возникновения поперечной термо-эд.с, характерного для анизотропных веществ [26, 27, 28]. Схема работы и уравнения представлены на рисунок 6.7.

–  –  –

где (1 – 2) —анизотропия термоэдс;

= с2/к – время измерения;

к – теплопроводность;

– электропроводность;

а, b, с – длина, ширина и толщина анизотропного термоэлемента.

Анализ уравнений, характеризующий работу подобного датчика, показывает, что эффективным материалом датчика является полупроводник, который обладает значительной анизотропией термоэдс и высокими значениями электро- и теплопроводности. Важно, чтобы значения этих параметров практически не изменялись с температурой, так как это позволяет использовать такие датчики в широком интервале температур.

Материалами таких датчиков служат монокристаллы ZnAs2 и CdAs2.

Особенно эффективно, когда вместо монокристаллов материалом датчика применяются эвтектические композиции на основе ZnAs2 и CdAs2. В состав композиций, кроме анизотропных полупроводников, входят фазы с большими значениями электро- и теплопроводности (металлы или узкозонные полупроводники). Использование эвтектических композиций повышает чувствительность и расширяет температурный интервал действия приемников теплового излучения за счет низких коэффициентов их температурной зависимости вольт-ваттной чувствительности.

На основе монокристаллов диарсенидов цинка и кадмия были разработаны датчики теплового излучения с предельной обнаружительной способностью до 10-4 Вт и временем измерения порядка 1 с, а также измерители мощности миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов длин волн, обладающие вольтватной чувствительность 0.2 В·Вт-1 и быстродействием 1 с.

6.3 Легирование полупроводников группы AIIIBV фосфидами и арсенидами цинка и кадмия Металлы II группы Zn или Cd являются основными акцепторными АIIIВV.

примесями в полупроводниках группы При использовании непосредственно металлов при создании р-n-переходов часто возникает эрозия поверхности полупроводника, что особенно нежелательно, когда имеют дело с гетероструктурами, так как восстановить поверхность, в этом случае традиционными механохимическими методами практически невозможно.

При изучении фазовых диаграмм состояния тройных систем Zn или Cd AIII-BV, где АIII = Ga, In; BV = Р, As [29, 30, 31, 32, 33] установлены причины эрозии поверхности подложек полупроводника и показано, что применение фосфидов, арсенидов цинка и кадмия позволяет создавать электроннодырочные структуры в широком интервале температур, исключая эрозию поверхности полупроводника. На основе фосфидов, арсенидов разработана технологическая лигатура, применение которой повышает качество и увеличивает выход электронно-дырочных переходов с требуемыми параметрами при изготовлении приборов (фотоприемников, инжекционных лазеров и т.д.) из полупроводников группы АIIIВV или гетероструктур на их основе, при этом p-n-переходы отличались высокой планарностью и однородностью по глубине.

С развитием работ по созданию новых ферромагнитных материалов на основе халькопиритных полупроводников АIICIVВV2 в настоящее время фосфиды, арсениды цинка и кадмия активно используют в качестве прекурсоров [34, 35, 36] для синтеза халькопиритов АIICIVВV2, при этом использование бинарных соединений АII3ВV2 и АIIВV2 при синтезе соединений АIICIVВV2 более эффективно, чем синтез из элементов.

Литература по главе 6

1. Трухан В.М., Шелег А.У., Фекешгази И.В. и др., Способ получения монокристаллов дифосфида кадмия тетрагональной модификации: Респ.

Беларусь пат. 11194, МПК8 C 30 B 23/00; заявл. 18.05.06; опубл. 30.10.08.

2. Трухан В.М., Шелег А.У., Фекешгази И.В. и др., Способ получения монокристаллов диарсенида цинка: Респ. Беларусь пат. 11173, МПК8 C 30 B 11/00; заявл. 28.07.06;

3. Рубцов В.А., Трухан В.М., Якимович В.Н. и др., Полупроводниковый твердый раствор на основе соединений Zn3P2 и Cd3As3: АС 1473385 СССР опубл. 15.12.1988

4. Трухан В.М., Якимович В.Н. Выращивание монокристаллов тетрагонального ZnP2 из паровой фазы // Неорганические материалы. 1998, Т. 34, № 11.

5 Новиков В.П., Шелег А.У., Трухан В.М., Федотов В.Г., Бычков А.Г., Карликов Д.Н., Горыня Л.М. Устройство для измерения температуры: АС 917004 СССР, МКИ5 G01K 11/00. заявл. 30.11.79; опубл. 01.12.81 6 Зуев В.А., Федотов В.Г., Бычков А.Г., Смоляренко Э.М., Трухан В.М, Якимович В.Н. Исследование термически индуцированного отклонения лазерного луча в кристаллах дифосфидов цинка и кадмия // Квантовая электроника.–1988.–Вып. 34.

7 Трухан В.М., Шелег А.У., и др. Дефлектор лазерного луча: Респ. Беларусь пат. 12388, МПК8 G 02 F 1/29; заявл. 07.04.08; опубл. 30.10.09.

8 Борщ В.В., Лисица М.П., Мозоль П.Е., Фекешгази И.В. Фоторезисторы для регистрации импульсного лазерного излучения // Квантовая электроника. 1982, Вып. 22.

9 Зуев В.А., Федотов В.Г., Бычков А.Г. Исследование оптических и оптоэлектронных характеристик дифосфидов цинка и кадмия // Оптоэлектрон.

и полупр. техн. 1989, Вып. 16.

10 Шелег А.У., Кутас А.А., Якимович В.Н., Федотов В.Г., Бычков А.Г., Карликов Д.Н., Горыня Л.М. Магнитооптический чувствительный элемент: АС 875959 СССР, МКИ5 G01R 33/032; заявл. 25.12.79; опубл. 22.06.81.

11 Trukhan V.M., Sheleg A.U., Fekeshgazi I.F. Сadmium diphosphide and zinc diarsenide single crystals - promising materials for electronic engineering // Photoelectronics. 2004, №13.

12 Голякевич, Т.В., Измайлов И.В., Пойзнер Б.Н., Трухан В.М., Шергин Д.А.

Моделирование структур хаоса в генераторе с протяженным кристаллом, обладающим термозависимой оптической активностью // Известия томского политехнического университета. 2008, Т. 312, № 2.

13 Андреев А.А., Мелех Б.Т., Трухан В.М. Полупроводниковый переключатель:

АС 621254 СССР; заявл. 01.03.77; опубл. 27.04.1978.

14 Трухан В.М., Зуев В.А., Федотов В.Г., Попов В.Г. Конденсаторная фотоэ.д.с. в ZnP2 // АН ССР Поверхность. 1986, № 4.

15 Зуев, А.В. Спектральные и барьерные характеристики конденсаторной и фотоэдс в соединениях ZnP2 различной модификации // Журнал прикладной спектроскопии. 1987, Т.47, №5.

16 Губанова А.А., Крыськов Ц.А., Матвиец М.В., Ткачук В.Г. Солнечные элементы на основе гетеропереходов CdP2-CdS // VIII Всесоюзное совещание «Материаловедение полупроводниковых соединений группы АIIBV. Черновцы.

1990.

17 Зуев, А.В. Спектральное распределение фотопроводимости дифосфида кадмия // Известия вузов. Физика. 1991, Вып. 7 18 Сырбу, Н.Н. Оптоэлектронные свойства соединений группы АIIBV. Кишинев:

Штиинца.–1983.

19 Горбань, И.С. Спектры поглощения тетрагональных кристаллов n-типа // ФТП. 1979, Т. 13, № 10.

20 Кудинцева, Г.А. Модулированная фотоэмиссия полупроводников ZnAs2 и CdP4 // ДАН СССР. 1978, Т. 241, № 5 21 Маренкин, С.Ф., Раухман А.М., Матиюк И.Н. Двулучепреломление и оптическая активность монокристаллов диарсенида цинка // Оптика и спектроскопия. 1993, Т. 75, вып. 1.

22 Marenkin S.F., Raukman A.M., Matiuk I.N., Lazarev V.B., Birefrigence and optical activity of cadmium diarsenide single crystals, Opt. Eng., 1994, V. 33, N 9, P.

3034-3037.

23 Морозова В.А., Маренкин С.Ф., Кошелев О.Г. и др., Особенности поглощения света в моноклинном дифосфиде цинка, Неорганические материалы, 2006, Т. 42, № 3, с. 263-267 24 Zdanowich L., Sol. Stat. Electronics, 1968, 11, 429.

25 Лазарев В.Б., Шевченко В.Я,, Маренкин С.Ф. Некоторые проблемы физикохимии и материаловедения новых полупроводниковых материалов // Физические методы исследования неорганических материалов / Под ред. И.В.

Тананаева. М.: Наука, 1981. С. 19—32 26 Анатычук Л.И. Термоэлементы и термоэлектрические устройства // Справочник. Киев: Наук. думка, 1979. 766 с.

27 Маренкин С.Ф., Пищиков Д.И., Лазарев В.Б. Анизотропия электрических и термоэлектрических свойств монокристаллов ZnAs2 // Изв. АН СССР. Неорган, материалы, 1989- Т. 25, № 6. С. 905-907.

28 Трифонов В.И., Стукан В.А., Лазарев В.Б. и др., Использование термоэлектрического эффекта в анизотропных полупроводниках для измерения мощности излучения миллиметрового и субмиллиметрового диапазона волн // Электрон, техника: Электроника СВЧ. 1977. Вып. 12. С, 119-121.

29 Маренкин С.Ф. Диаграммы состояния тройных систем Zn(Cd) –A-B // ЖНХ, 1993, Т.38, №11.

30 Маренкин С.Ф., Бабиевская И.З., Пашкова О.Н. и др., Фазовые равновесия в тройной системе Cd-In-P // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1988, Т. 24, 31 Маренкин С.Ф., Пашкова ОМ., Лазарев В.Б. Политермический разрез CdGaAs тройной системы Cd-Ga-As // ЖНХ. 1986. Т. 31, № 6. С. 1606-1608.

32 Маренкин С.Ф., Пашкова ОМ., Лазарев В.Б, Взаимодействие в системе Cd3 As2 -GaAs // ЖНХ 1986Т.31 №5, С. 1271-1273.

33 Маренкин С.Ф., Лазарев В.Б., Бабиевская И.З. и др., Фазовые равновесия в тройной системе Cd-Ga-As // Изв. АН СССР. Неорган, материалы. 1987. Т. 23, № 7, С 1241-1246.

34 Новоторцев В.М., Маренкин С.Ф., Варнавский С.А. и др., Неорганическая химия, 2008, Т. 53, № 1, с. 28.

35 Новоторцев В.М., Маренкин С.Ф., Королева Л.И. и др., Магнитные и электрические свойства ZnSiAs2 допированного марганцем, Неорганическая химия, 2009, Т. 54, № 9, с. 1420-1424Новоторцев В.М., Варнавский С.А., Маренкин С.Ф., Королва Л.И., Демин Р.В., Трухан В.М., Климонский С.О., Кузнецов В.Д. // ЖНХ, 2006, том 51, № 8.

36 Лобановский Л.С., Новоторцев В.М., Маренкин С.Ф. и др., Магнетизм вблизи ТС в Mn-замещенном халькопирите Cd0.90Mn0.10GeAs2, Письма в ЖЭТФ,

Похожие работы:

«ЭФФЕКТИВНОСТЬ РАСХОДА МАТЕРИАЛЬНЫХ РЕСУРСОВ. НОРМИРОВАНИЕ ТАБАЧНОГО СЫРЬЯ ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ КУРИТЕЛЬНЫХ ИЗДЕЛИЙ Остапченко И.М., Дурунча Н.А. ФГБНУ "Всероссийский научно-исследовательский институт табака, махорки и табачных изделий...»

«Статья опубликована на сайте о переводе и для переводчиков "Думать вслух" http://www.thinkaloud.ru/scienceak.html Д.М. Бузаджи Подлежащно-сказуемостные и не подлежащно-сказуемостные предло...»

«Аукционный дом "КАБИНЕТЪ" Маяковский В. Хорошо! Октябрьская поэма. М.-Л., Государственное издательство, 1927. Формат издания: 21 х 14 см. 104 с. Первое издание. Прижизненно...»

«Электронное периодическое издание ЮФУ "Живые и биокосные системы", № 5, 2013 года УДК: 58.006:502.75 (471.61) Видовой состав коллекции редких и исчезающих растений Ростовской области в Ботаническом саду Южного федерального университета Шмараева А. Н., Шишлова Ж. Н., Федяева В. В., Фирсова А. В., Кузьме...»

«БЕЛОРУССКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ УДК 551.43(476) ГРЕЧАНИК Николай Федорович СТРУКТУРА И ЭКЗОДИНАМИКА РЕЛЬЕФА В ПРЕДЕЛАХ ТЕРРИТОРИИ ВОСТОЧНОЙ ЧАСТИ ПОДЛЯССКО-БРЕСТСКОЙ ВПАДИНЫ Автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата географических наук по специальности 25.03.03 – геоморфо...»

«–1– ПУТЕШЕСТВИЕ В СТРАНУ СОВЕРШЕННОЛЕТИЯ ПУТЕШЕСТВИЕ В СТРАНУ СОВЕРШЕННОЛЕТИЯ –2– ЗИМНИЕ ЛАГЕРЯ В СОЮЗЕ НЕЗАВИСИМЫХ ГОСУДАРСТВ 1996 – 5776 ПУТЕШЕСТВИЕ В СТРАНУ СОВЕРШЕННОЛЕТИЯ ОБРАЗОВАТЕЛЬНАЯ ПРОГРАММА БАР-/ БАТ-МИЦВА ИНСТРУК...»

«Взгляд на мировой джихад  (17 – 23 декабря 2015 г.)  Основные события недели 22-го декабря 2015 г. иракская армия, при содействии шиитских милиций и бойцов суннитских племен, а также при поддержке с воздуха, оказываемой США и странами коалиции, начала военную операцию по освобождению г. Аль Рамади (большая часть населения...»

«УДК 101.1 ПРОГНОЗЫ О. ШПЕНГЛЕРА И СОВРЕМЕННАЯ ЕВРОПА В ГЛОБАЛЬНОМ МИРЕ Коник А. В. научный руководитель: д-р филос. наук, профессор Яценко М. П. Сибирский федеральный университет Освальд Шпенглер – один из самых ярких, и в то же время противоречивых немецких философов XX века...»









 
2017 www.lib.knigi-x.ru - «Бесплатная электронная библиотека - электронные матриалы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.