WWW.LIB.KNIGI-X.RU
БЕСПЛАТНАЯ  ИНТЕРНЕТ  БИБЛИОТЕКА - Электронные матриалы
 


«Физика твердого тела, 2008, том 50, вып. 7 Атомно-силовая микроскопия пленок висмута © В.М. Грабов, Е.В. Демидов, В.А. Комаров Российский государственный педагогический ...»

Физика твердого тела, 2008, том 50, вып. 7

Атомно-силовая микроскопия пленок висмута

© В.М. Грабов, Е.В. Демидов, В.А. Комаров

Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена,

191186 Санкт-Петербург, Россия

E-mail: vmgrabov@yandex.ru

(Поступила в Редакцию 12 ноября 2007 г.)

Приведены результаты исследования структуры поверхности пленок висмута методом атомно-силовой

микроскопии. Пленки получены термическим испарением в вакууме на подложки из слюды с последующим

отжигом. Установлено, что пленки имеют блочную структуру с преимущественной ориентацией оси C 3 перпендикулярно подложке. Оси C 2 соседних блоков имеют преимущественно взаимно противоположную ориентацию. В результате отжига размеры блоков с осью C 3, перпендикулярной подложке, увеличиваются за счет практически полного исчезновения блоков с произвольной ориентацией C 3 и слияния блоков с одинаковой ориентацией. Размеры и конфигурация блоков выявляются наиболее четко при предварительной обработке пленок в слабом растворе травителя. Результаты представляют интерес для интерпретации данных о явлениях переноса в пленках висмута.

PACS: 68.37.Ps, 68.55.Jk менее 1 µm травление становится неэффективным, поВведение этому для указанного диапазона толщин использовали закономерности, полученные металлографическими меДля висмута и твердых растворов висмутсурьма хатодами для пленок большей толщины.

рактерна возможность выращивания кристаллов с соверШирокие возможности в исследовании структуры плешенной кристаллической структурой, что обеспечивает нок предоставляет применением метода атомно-силовой большие значения длины свободного пробега и высокие микроскопии (АСМ) [5].

В настоящей работе приведеподвижности носителей заряда. Отношение удельного сопротивления (300 K)/(4.2 K), которое используют ны результаты исследования методом АСМ структуры пленок висмута, приготовленных методом термического как критерий совершенства, для таких кристаллов понапыления в вакууме на различные подложки.

рядка 800 [1]. Поэтому в пленках висмута и сплавов висмутсурьма в широком интервале температур проявляютя как классические, так и квантовые размерные

2. Эксперимент эффекты [2]. Естественно, что на кинетические параметры в пленках висмута существенное влияние оказывают Напыление пленок висмута производилось методом дефекты, вид и концентрация которых определяются непрерывного термического испарения в вакууме окометодами и режимами получения пленок [2–4]. ло 3 · 103 Pa. При исследовании закономерностей проИз данных [2] и исследований, выполненных ранее с цессов напыления изменялись: температура подожки, применением металлографических методов и рентгено- толщина пленки, материал подложки. Отжиг пленок структурного анализа [3], известно, что кристаллическая проводился непосредственно в установке для напыления в вакууме при температуре 220 C в течение 30 min.

структура пленок висмута отличается упорядоченной текстурой: в большинстве случаев, особенно на подлож- В качестве кристаллических подложек использовалась ках из слюды, ось C 3 всех кристаллитов ориентирована телевизионная слюда, в качестве аморфных — поперпендикулярно плоскости подложки. В пленках, полу- кровные стекла. Были изготовлены пленки толщиной ченных при температуре подложки меньше 30 C, появ- от 0.1 до 5 µm при температурах подложки от 20 до 200 C. Толщина пленок измерялась методом оптиляются кристаллиты с наклонной ориентацией оси C 3 относительно плоскости подложки. Вероятность появ- ческой интерферометрии.





ления таких кристаллитов возрастает при понижении Для получения детальной информации о структуре температуры подложки и при применении подложек пленок, в частности для исследования размеров блоков пленок толщиной от 1 µm и меньше, а также для уточс аморфной структурой (стекло). Подложки из NaCl, KCl, KBr и определеных условиях позволяют получить нения ориентации кристаллитов в плоскости подложки пленки с ориентацией C 3 параллельно подложке [2]. был использован метод сканирующей АСМ.

Отжиг пленок на всех подложках приводил к переходу Исследование структуры поверхности пленок произк текстуре с ориентацией оси C 3 перпендикулярно под- водилось на воздухе с использованием атомно-силового ложке. Указанные выше методы исследования структуры микроскопа SMENA компании NT-MDT в полуконтактпленок не позволяют получить информацию о взаимной ном режиме. Использовались кантелевры с резонансной ориентации осей C 1 и C 2 в соседних кристаллитах. частотой около 150 и 255 kHz, радиусом кривизны острия 10 nm и углом при его вершине 22.

Кроме того, для выявления структуры пленок толщиной Атомно-силовая микроскопия пленок висмута 1313 Для получения более полной информации о структуре пленок в настоящей работе был предложен и реализован комбинированный способ изучения структуры поверхности пленок, сочетающий химическое травление с последующей АСМ.

–  –  –

при разрешении сканирования 256 точек на строку и размерах скана 10 10 и 4.5 4.5 µm. Обращают на себя внимание фигуры роста, упорядоченно расположенные на поверхности пленки, которые видны особенно четко на рис. 4. Эта упорядоченность проявляется в ориентации тригональной оси перпендикулярно подложке, а также в согласованной ориентации бинарной и биссекторной кристаллографических осей в соседних фигурах роста (рис. 4). Границы блоков в виде обрывов фигур роста на рис. 2 проявляются нечетко. Они становится отчетливо видны при разрешении сканирования

–  –  –

Список литературы [1] Г.А. Иванов, В.М. Грабов. ФТП 29, 1040 (1995).

[2] Ю.Ф. Комник. Физика металлических пленок. Атомиздат, М. (1979). 264 с.

[3] Г.А. Иванов, В.М. Грабов, Т.В. Михайличенко. ФТТ 15, 573 (1973).

[4] J. Chang, H. Kim, J. Ham, M.H. Jeon, W.Y. Lee. J. Appl. Phys.

98, 023 906/1 (2005).

[5] А.С. Рыков. Сканирующая зондовая микроскопия полупроводниковых материалов и наноструктур. Наука, СПб (2001). 52 с.



Похожие работы:

«Курасов Сергей Александрович ИНСТИТУТЫ НАРОДНОГО ОБРАЗОВАНИЯ ПЕРВЫЙ СОВЕТСКИЙ ЭКСПЕРИМЕНТ В СФЕРЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ Статья осв ещает проблему становления в ысшего педагогического образования советской Росс...»

«ПОЯСНИТЕЛЬНАЯ ЗАПИСКА Программа составлена на основе Программы специальных (коррекционных) общеобразовательных учреждений VIII вида под редакцией доктора педагогических наук В.В. Воронковой, Москва, гуманитарный издательский центр "Владос", 2011г. Программа ориентирована на учебник для 7 классов специальных (коррекционных) образовательных у...»

«ПРОБЛЕМЫСОВРЕМЕННОГО ОБРАЗОВАНИЯ www.pmedu.ru 2011, №6, 142-145 ЖУРНАЛ "ОТЕчЕСТВЕННАЯ И зАРУБЕЖНАЯ ПЕДАГОГИКА" MAGAZINE "NATIONAL AND FOREIGN PEDAGOGY" C этого номера жу...»

«ДЕПАРТАМЕНТ ОБРАЗОВАНИЯ ГОРОДА МОСКВЫ МОСКОВСКИЙ ИНСТИТУТ ОТКРЫТОГО ОБРАЗОВАНИЯ РЕГИОНАЛЬНАЯ ОБЩЕСТВЕННАЯ ОРГАНИЗАЦИЯ "АССОЦИАЦИЯ УЧИТЕЛЕЙ ИНОСТРАННЫХ ЯЗЫКОВ ГОРОДА МОСКВЫ" ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ГОРОДА МОСКВЫ ЛИЦЕЙ №1525 "КРАСНОСЕЛЬСКИЙ" ПОЛОЖЕНИЕ о К...»

«Вести ИПФ Информационная Поддержка Факультета Поздравляем наших преподавателей с победой в конкурсе "Лучший куратор года в БНТУ" Комаровская Виктория Маратовна (к.т.н. кафедры Вакуумная и компрессорная техника)2-е место. Койда Сергей Геннадьевич (преподаватель к...»

«ИНТЕГРАЛ IIIU НАУЧНО ПРОШВОЛеТВ!НИО! ОКЪГЛИНГНИ! ъ, г е но ITU ^*181"рй •*. V / "^ПАРУС* УП Завод Камертон НПО Интеграл предприятие, стабильность и надежность которого доказана временем. Мы работаем на рынке более 20 лет, являясь одним из ведущих разработчиков и производителей электронных изделий. УП Завод Камертон производит кремн...»

«ОСНОВНОЕ ОБЩЕЕ ОБРАЗОВАНИЕ Т. В. РЫЖКОВА, И. Н. ГУЙС ЛИТЕРАТУРА В 6 КЛАССЕ Книга для учителя с тематическим планированием Москва Факультет Издательский центр филологии "Академия" и искусств СПбГУ УДК 82.09(075.3) ББК 83я721 Р 939 А в т о р ы: Т. В. Рыжкова:...»

«НЕ БЫЛО НИКАКОГО НИ КИРИЛЛА, НИ МЕФОДИЯ!!! http://lib.pushkinskijdom.ru/Default.aspx?tabid=2163 ЖИТИЕ КОНСТАНТИНА-КИРИЛЛА Подготовка текста и перевод Л. В. Мошковой и А. А. Турилова, комментарии Б. Н. Флори Текст: Вступление Оригинал Пара...»

«1 № Содержание Стр. п/п I. Целевой раздел Пояснительная записка. 1.1. Цель и задачи рабочей программы. 1.2. Принципы и подходы к формированию рабочей программы. 1.3. Краткая психолого-педагогическая характеристика и особенности развития 1.4. детей группы...»








 
2017 www.lib.knigi-x.ru - «Бесплатная электронная библиотека - электронные матриалы»

Материалы этого сайта размещены для ознакомления, все права принадлежат их авторам.
Если Вы не согласны с тем, что Ваш материал размещён на этом сайте, пожалуйста, напишите нам, мы в течении 1-2 рабочих дней удалим его.